삼성, "차세대 트랜지스터 기술로 '3나노' 반도체 개발" 로드맵 공개(종합)
페이지 정보
본문
삼성전자가 '게이트 올 어라운드'(GAA)의 신기술이 적용된 3나노 공정에 대한 로드맵을 공개했다.
삼성전자는 22일(현지시간) 미국 산타 클라라 메리어트 호텔에서 '삼성 파운드리 포럼 2018'를 개최하고, 관련 사업전략과 첨단 공정 로드맵, 응용처별 솔루션에 대해 발표했다고 밝혔다.
파운드리는 생산라인 없이 반도체 설계 만을 하는 팹리스 기업들로부터 설계 도면을 받아 반도체를 생산해 넘겨주는 사업이다.
삼성 파운드리 포럼은 매년 확장되는 파운드리 시장 규모와 향후 파운드리 사업의 비전을 제시하는 자리로, 올해는 팹리스 업계 고객사, 파트너사, 애널리스트 등 약 500명이 참석했다.
삼성전자는 이날 현재 주력인 14·10나노 공정은 물론 극자외선(EUV)을 활용한 7나노, 5나노, 4나노 공정과 GAA의 신기술이 적용된 3나노 공정까지의 로드맵을 공개했다.
이번에 처음으로 공개된 3나노 공정 로드맵은 7나노 이하 공정부터 극자외선노광장비(EUV)를 활용하겠다고 밝힌 삼성전자가 차세대 트랜지스터 구조인 MBC(멀티 브릿지 채널)펫을 적용하는 것이다. 이를 통해 로직 공정의 터닝포인트를 마련하겠다는 계획이다.
MBC는 핀펫 구조의 크기 축소와 성능 성능 향상의 한계를 극복한 GAAFET(게이트 올 어라운드 펫) 기술의 삼성전자 독자 브랜드다. GAA는 4차원 구조로 3차원인 핀펫보다 접점을 한 차원 더 늘려 전자의 이동량을 많게 하고 회로 동작속도를 빠르게 해, 핀펫 이후의 차세대 기술로 꼽힌다.
향후 광범위한 첨단 공정 개발과 설계 인프라, SAFE(Samsung Advanced Foundry Ecosystem)의 지속 확장에 대한 의지도 드러냈다.
삼성전자는 이날 경기도 화성 반도체 공장에 설치한 차세대 첨단 미세공정인 EUV 라인에서 올해 하반기에 시험생산을 시작한 뒤 내년 상반기에는 양산 체제에 돌입한다는 계획도 밝혔다.
이밖에 최첨단 데이터센터와 인공지능(AI), 자동차 전장 등 주요 응용처별 솔루션을 소개하는 시간도 가졌다.
배영창 삼성전자 파운드리 사업부 전략마케팅팀장 부사장은 "지난해 EUV 공정을 적용한 포트폴리오를 강화하는데 주력해왔다"며 "향후 GAA구조를 차세대 공정에 적용함으로써 기기 간의 연결성을 강화한 새로운 시대를 열어갈 수 있으리라 기대한다"고 말했다.
삼성 파운드리 포럼 2018은 이번 미국 포럼을 시작으로 6월 중국 상하이, 7월 한국 서울, 9월 일본 도쿄, 10월 독일 뮌헨으로 이어질 예정이다.